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- [发明专利]腐植酸磷钾多类多元螯合复合肥-CN96112577.2无效
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冯义昌
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冯义昌
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1996-09-20
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1998-04-01
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C05G3/00
- 腐植酸磷钾多类多元螯合复合肥,是一种有多类多元营养成分、多种功效,并采用螯合复合工艺生产制造的农用肥料。包括的成分有三类,一类为载肥类有腐植酸、钾肥、磷铵、硼泥;二类为微肥类,有锌、硼、钼、镁;三类为稀土。其生产方法是分别对微肥类和稀土类成分采用螯合工艺制取中间微肥液和中间稀土液,并同由载肥类成分混配制取的中间载肥粉进行复合制剂而获得。它的复合肥效高,有改善土壤结构,提高作物抗逆性和增产的显著效果。
- 腐植酸磷钾多类多元复合
- [实用新型]一种可水洗棉被-CN201921237720.4有效
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龙剑
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龙剑
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2019-08-01
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2020-06-30
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A47G9/02
- 本实用新型公开了一种可水洗棉被，包括被芯和被套；所述被套套置于被芯的外面；所述被芯是由棉絮层纵横向多层、错步、均匀的重叠而成，在多层棉絮层外部套装有纱布套，棉絮层是由棉絮片纵横向多层、错步、均匀的重叠而成，棉絮片是由棉纤维纵横向多层、错步、均匀的重叠而成，棉纤维通过铺网机对原棉梳理获得；棉芯选用天然棉花，比上述的其他三类被子选材更健康卫生、成本也相对降低，而且具有蓬松透气、不产生静电的优点。与本产品接近的手工絮棉类被子比较具有可水洗、更蓬松轻盈、不板结有弹性的优点。
- 一种水洗棉被
- [发明专利]沟槽功率半导体器件及制造方法-CN202011171440.5在审
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朱袁正;周锦程
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无锡新洁能股份有限公司
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2020-10-28
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2021-01-12
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H01L29/78
- 本发明涉及一种沟槽功率半导体器件及制造方法，它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一类沟槽、第二类沟槽、第三类沟槽、第一类氧化层、第二类氧化层、第三类氧化层、第一类导电多晶硅、第二类导电多晶硅、第三类导电多晶硅、第二导电类型体区、第一导电类型源区、绝缘介质层、源极金属、有源区、第一过渡区与第二过渡区；所述第一类氧化层的厚度小于第二类氧化层以及第三类氧化层的厚度，第二类氧化层与第三类氧化层的厚度相等本发明由于第一类氧化层的厚度小于第二类氧化层、第三类氧化层以及第四类氧化层的厚度，可以保证终端击穿电压高于元胞击穿电压，提高了器件可靠性。
- 沟槽功率半导体器件制造方法
- [实用新型]沟槽功率半导体器件-CN202022429057.7有效
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朱袁正;周锦程
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无锡新洁能股份有限公司
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2020-10-28
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2021-05-07
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H01L29/78
- 本实用新型涉及一种沟槽功率半导体器件，它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一类沟槽、第二类沟槽、第三类沟槽、第一类氧化层、第二类氧化层、第三类氧化层、第一类导电多晶硅、第二类导电多晶硅、第三类导电多晶硅、第二导电类型体区、第一导电类型源区、绝缘介质层、源极金属、有源区、第一过渡区与第二过渡区；所述第一类氧化层的厚度小于第二类氧化层以及第三类氧化层的厚度，第二类氧化层与第三类氧化层的厚度相等本实用新型由于第一类氧化层的厚度小于第二类氧化层、第三类氧化层以及第四类氧化层的厚度，可以保证终端击穿电压高于元胞击穿电压，提高了器件可靠性。
- 沟槽功率半导体器件
- [发明专利]一种电路基板以及显示设备-CN201611261119.X有效
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董成才
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深圳市华星光电技术有限公司
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2016-12-30
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2019-06-11
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G02F1/133
- 本发明公开了一种电路基板以及显示设备，其中，该电路依序层叠的基层、第一导电层、第一绝缘层以及第二导电层；其中：第一导电层、第二导电层分别定义出第一类导线、第二类导线、三类导线；其中，第一类导线、第二类导线以及第三类导线依序相邻排列，且相互绝缘，第一类导线远离基层的一侧设有金胶点，第二类导线或第三类导线至少在邻近金胶点的区域为第一延展导电体，第一延展导电体位于该区所有导电层中的最远离基层一侧，且覆盖相邻的第三类导线或第二类导线。通过上述方式，本发明能够通过增加第二类导线的面积来覆盖第三类导线，以使得第二类导线与第三类导线不会因为金胶点而短路。
- 一种路基以及显示设备
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